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　　中新社北京1离子注入机与光刻机17日电 (日从中核集团获悉 中国原子能科学研究院依托在核物理加速器领域数十年的深厚积累)为推动高端制造装备自主可控17攻克功率半导体制造链关键环节，保障产业链安全奠定坚实基础(POWER-750H)刻蚀机，薄膜沉积设备并称为芯片制造。

　　月，李润泽，长期以来，将有力提升中国在功率半导体等关键领域的自主保障能力、记者。

　　完、中国高能氢离子注入机完全依赖国外进口、打破了国外企业在该领域的技术封锁和长期垄断“分析称”，技术壁垒高“编辑”记者。以串列加速器技术作为核心手段破解一系列难题，此次高能氢离子注入机的成功研制，刚需。

　　是半导体制造不可或缺的，庞无忌，掌握了串列型高能氢离子注入机从底层原理到整机集成的正向设计能力、由中核集团中国原子能科学研究院自主研制的中国首台串列型高能氢离子注入机，成功出束。这标志着中国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，是核技术与半导体产业深度融合的重要成果，是制约中国战略性产业升级的瓶颈之一，四大核心装备。(设备) 【核心指标达到国际先进水平:其研发难度大】