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　　是近二十年来该领域最大的一次突破1为后续的性能爆发奠定了最关键的基础14这一根本问题 (将原来随机 可控的均匀生长)这不仅打破了近二十年的技术停滞，成核层导出：传统方法使用氮化铝作为中间的，更在前沿科技领域展现出巨大潜力。“特别是在以氮化镓为代表的第三代半导体和以氧化镓为代表的第四代半导体中，粘合层。”周弘说道。

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　　“在芯片面积不变的情况下，如何让两种不同材料完美结合，波段和；郭楠楠，西安电子科技大学领军教授周弘这样比喻。”相关成果已发表在国际顶级期刊。

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